Науково - дослідний інститут мікроприладів АН України - найбільше українське наукове та виробниче підприємство з розробки та виготовлення мікроcхем, електронних приладів та елементної бази для них.

Протягом 43 років інститут успішно веде наукову та виробничу діяльність, розробивши та впровадивши в виробництво більше 400 різних типів мікросхем та мікроприладів.

04136, УКРАЇНА, м. КИЇВ, вул. Північно-Сирецька, 3
Тел. /044/ 434-72-77
email: detector@carrier.kiev.ua
Факс /044/ 442-01-93
http://www.imd.com.ua

Принципова направленість наукових досліджень інституту - розробка однокристальних мікрокомп'ютерів, мікропроцессорних наборів мікросхем, мікросхем пам'яті, програмуючих логічних матриць, операційних підсилювачів, аналогових ліній затримки, цифрових фільтрів, мікросхем для телевізорів кольорового зображення та телефонії, автоелектроніки, мікросхем для відео та радіоапаратури, калькуляторів та персональних комп'ютерів, різних сенсорів та мікросхем для них, світлодіодів та надяскравих "білих" світлодіодів, мікросхем для приладівнічного бачення, детекторів іонізуючих та рентгенівських випромінювань, радіаційно-стійких інтегральних мікросхем та інших мікроприладів.

Інститут має запатентовані розробки, публікації в наукових та періодичних виданнях, публікує монографії та учбову літературу, готує наукових працівників - кандидатів та докторів наук. Під керівництвом професора д.т.н Вербицького В.Г. інститут виконує важливі науково-технічні програми АН України, пов'язані з енергозбереженням природних ресурсів України - впровадженням в виробництво освітлюючих приладів з використанням надяскравих "білих" світлодіодів.

Розробка та виготовлення фотоприймальних модулів інфрачервоного зображення.

1. Технології:

a) Кріогенна кремнієва CMOS та CCD технології для схем зчитування інформації та аналогоцифрових схем по вимогам замовника;

b) Технологія виготовлення MCT (mercury-cadmium- telluride) діодів;

c) Технологія складання інфро-червоних модулів.

2. Типові схеми:

a) Лінійні формату 2х32,2х64,2х256;

b) Лінійні з функцією часової затримки та накопиччення формату 4x288; 6x480; 6x576*;

c) Матриці формату 128x128

3. Головні параметри:

a)довжина хвилі 3-5 µm 8-12 µm;

b)розмір пікселя: 50µm x50µm, 30µm x30µm, 56µm x 43µm;

c)зарядова ємність: ≥2.0pС(1x107electrons);

d)динамічний діапазон: ≥2.8V (77dB);

e)шум: ≤400µV;

f)нелінійність: ≤2%;

g)швидкодія: 5MHz max;

h)споживна потужність: ≤100mW;

i)NETD (noise equivalent temperature): 25-80 mK

j)чутливість: 2.5 - 4.0 A/W

k)виявна здатність D*≥2x1010 - 2.5x1011 cmxHz1/2/W

Розробка та виготовлення аналого-цифрових інтегральних схем за вимогами замовника.

Тепловізійна картинка, отримана за допомогою фотоприймального пристрою 2х64.

Розробка та виготовлення гнучких комутаційних елементів і складання виробів на їх основі

Відділ проводить:

розробку конструкцій та складання мікросхем модифікації 2. Конструктивно такі ІС являють собою кристал з алюмінієвими виводами на поліімідній основі. Процес складання включає виготовлення гнучких носіїв, їх приєднання до стандартних кристалів ультразвуковою зваркою, герметизацію полімерними матеріалами з проведенням технологічних відбраковочних випробувань, в т. ч. електро - термо - тестування. Методи монтажу ІС ультразвукова зварка та/або безфлюсова пайка;
виготовлення багатовивідних вхідних мікрокабелів типу алюміній-поліімід для складання детекторів високих енергій. Мікрокабелі можуть мати до кількох сотень виводів шириною до 36 мкм, при цьому точність їх відтворення з фольги товщиною 14 мкм становить ±4 мкм, крок виводів - до 80 мкм;
розроблена оригинальна технологія виготовлення друкованих кабелів з діелектриків алюміній-поліімід для використання в гіроскопах. Кабелі витримують до 100 тис подвійних перегинів з радіусом 5 мм в робочому діапазоні температур від мінус 190 до + 250оС. Крок виводів до 100 мкм, методи монтажу - ультразвукова зварка до жорстких підкладок з покриттям Al, Cu, Ni, Ag, Au або безфлюсова пайка; розроблена також технологія виготовлення низькоомних акустичнихмембран на поліімідній основі. Товщина шару алюмінію 14, 20 або 25 мкм, при цьому точність відтворення опору спіралей 7-10 % в залежності від типу мембрани.

Відділ інтегральної мікросхемотехніки та мікро- і електронних приладів

розробляє КМОН ІС на базі об'ємного монокристалічного, епітаксіаль ного кремнію, а також на епітаксіальних КНС-структурах і КНІ-структурах, створених методом лазерної зонної плавки полікремнію на діелектрику.

Основні напрямки роботи:

проектування радіаційно-стійких КМОН ІС з товщиною підзатворного діэлектрика до 500A і стійкістю до g-випромінювання до 1⋅106 Рад (104 Гр);
проектування КМОН ІС на КНС - та КНІ - структурах, працюючих в діапазоні температур 20 - 200 оС;
проектування КМОН ІС аналогових ключів та комутаторів для перемикання різнополярних напруг в діапазоні (-25 ÷+25)В і однополярних позитивних напруг до 35 В;
дослідження та визначення діагностичних параметрів якості дискретних напівпровідникових приладів та інтегральних схем. Для КНР розроблені і передані схеми, конструкція та технологія проектування і виготовлення радіаційно-стійких мікропроцесорів КМ1834ВМ86 з двохрівневою металізацією.
З прийманням представником замовника розроблені і освоєні в серійному виробництві 32-х канальнікомутатори на КНС структурах. Розроблені і виготовлені шинні формувачі сигналів 1834ВА86 з напругою живлення 5 В та їх аналоги, працездатні в діапазоні температур 20-200 оС.

ЦЕНТР ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ТЕХНОЛОГІЙ (ЦОТ) виконує фундаментальні й прикладні дослідження, розробку, виробництво й реалізацію оптоелектронних приладів на матеріалах A3B5/Si. На основі відкритих керівником ЦОТ Осінським В.І. над'яскравих світлодіодів та лазерів на багатокомпонентних напівпровідниках були створені нові структури світлодіодів, лазерів, фотоприймачів (фотодетекторів) та інтегральні матриці на них, швидкісні й надшвидкісні приймально-передавальні модулі волоконно-оптичних ліній зв'язку, квантові процесори, світлодіоди білого випромінювання.

Виробництво:

інтегральні матриці світлодіодів та дорожні світлофори на їх основі (серійне виробництво, сертифікат ISO 9001-2001)
Твердотільні джерела білого світла з мікропроцесорним керуванням з еквівалентною ефективністю понад 200 лм/Вт
селективні ультрафіолетові фотоприймачі у смузі λ = 200-360 нм, сліпі до видимого світла (до Сонця) та радіометри ультрафіолетового випромінювання на їх основі
інтегральні лазерні приймально-передавальні модулі волоконно-оптичних ліній зв'язку на 32, 128, 640, 1250 Мбіт/сек., λ = 0,82; 1,3; 1,55 мкм,
портативні тестери для вимірювання параметрів швидкісних волоконно-оптичних ліній зв'язку базова технологія виробництва надяскравих світлодіодів та фотоприймачів (фотодетекторів) на основі ІІІ - нітридів на сапфірних підложках.